第2回 研磨教室

この『研磨教室』連載の狙い（5回連載）

昔からある精密加工，磨き加工また研磨加工機はどうやってできたのか？
どう発展してきたのか？
本研磨教室では，超精密研磨加工が現代でも最先端技術の１つとして使われている秘訣を解き明かすことでこれからの超精密研磨加工機、研磨加工学が発展して行く礎(いしずえ)を学ぶ第一歩としたい。

講義内容目次

・第1回　研磨加工の基礎と変遷 ―研磨は神代の昔から―
・第2回　現代研磨加工機と研磨加工(シリコン,SiC,GaNなど)の今
・第3回　現代先端研磨加工と研磨加工機の基礎
・第4回　研磨加工用資材と研磨加工機の進化
・第5回　現代先端研磨加工とこれからの研磨加工機の課題と発展

①半導体とは？

半導体とは，導体と絶縁体の中間状態(電気抵抗が中間）の材料を指す。 （抵抗率として１０-3Ωcmから1000Ωcmの範囲の物を半導体としている。）

ＩＣ：トランジスタやコンデンサ，抵抗等を一つのチップに集積したものです．ICの集積度をさらに高めてシステムとしたのがLSI（大規模集積回路）で複数のLSIで構成していたシステム機能を，1個のチップ上に全て取り込んで集合体としたものをシステムLSIと言い，現代はシステムLSIが一般的になっている．

※クラーク数：地球上の地表付近に存在する元素の割合を火成岩の化学分析結果に基いて推定した結果を存在率(質量パーセント濃度)で表したもの．

③高純度シリコンの製造

半導体用のシリコンウエハーは，そんじょそこらの石ころと同じ成分ですが，まずは，珪石(SiO2)の還元反応によって金属ケイ素Siを作ります．多生産しているのは，中国，オーストラリアですが，商品としての純度が低いのでノルウェーの会社が９８％以上の高純度の金属ケイ素を精製して高グレードのケイ素を世界に拡販しています．

Siの純度は99.999999999%にまでなります．９が11個連続しているため，イレブンナイン（11N）ともいいますが，これが半導体用途で使われるシリコンの純度レベルです．半導体グレードとも言われます．決して100％にはなりません。最後の10－9の1に極少量入れるB(ボロン)でＰ形半導体となり，Ｐ(リン)やAs(ヒ素)を入れてＮ形半導体としています．純度が凡そ９８％程度を金属グレードと称します．また太陽電池に使うシリコンは，ソーラーグレードと呼ばれ，純度は99.9999％（6N）となっています．

④シリコンウエハーのサイズと研磨後の精度

シリコンウエハーの大きさには，1.5インチ(φ37.5mm)～18インチ(φ450mm)まであり，図13(a),(b)にシリコンウエハーの大きさの変遷を示す．初期は,１．５インチの可愛いサイズのシリコンウエハーでしたが，年々大きくなってφ450mmウエハーも一時期「これからはφ450mmウエハー時代」と言われたのですが，投資金額が膨大な割にメリットが少なく，φ300mmウエハーの高生産を目指すようにメーカーも変わって来ています．

シリコンウエハー上に描かれる回路の線幅は，2019年時点で１０ｎｍ(ナノメートル=０．０１μｍ)以下となり，７～５ｎｍ線も量産となる予定です．これほど厳しい回路を載せるシリコンウエハーも精度が非常に厳しくなって来ています．半導体シリコンウエハーの精度は，その直径の大きさで2つの表示方法があり，φ300mmの時から精度表示がＴＴＶからＧＢＩＲに変わった経緯があります．

⑤シリコンウェハーの精度表示とは

８インチ(φ２００ｍｍ）までのウェーハの精度表示

ＴＴＶ(Total Thickness Valuation)=全体の平行度
ＬＴＶ(Local Thickness Valuation)=部分の平行度

１２インチ(φ３００ｍｍ）以上でのウェハーの精度表示
(測定法が変わったので、精度表示も一新された．)

ＧＢＩＲ(Global Back-side Ideal Focal Plane/Range）＝全体の平坦度
又はGBIR(Global Backsurface-referenced Ideal Plane/Range)
ＳＦＱＲ(Site Front-side least sQuares Focal Plane/Range）
＝部分の平坦度(一部では、E(Edge）-SFQRが用いられている。)

又はSFQR(Ｓｉｔｅ Ｆｒｏｎｔｓｕｒｆａｃｅ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｄ ｌｅａｓｔ ｓＱｕａｒｅｓ/Ｒａｎｇｅ）

図14にGBIR，SFQR，E-SFQRの各図を示す．

⑥現在のシリコンウエハー仕上げ研磨後の要求精度

GBIR：０．１５μｍ以下，０．１０μｍ以下要望
SFQR：０．０３０μｍ(３０ｎｍ)以下，１５ｎｍ(ナノメートル)以下要望
図15に最近の両面ポリシング後GBIR，厚さ断面の精度例を示す．
(チャンピオンデータは，もっと高精度です)

車載用の半導体は，高温,振動,高電圧などの厳しい環境下でも，その能力を最大限に発揮することが求められ，シリコンウエハー製の半導体では，難しい箇所が多くＳｉＣ，ＧａＮなどのパワーに優れた半導体も開発されつつあるが，まだ加工難もあって大量生産用の価格に届いておらず車載が遅れている．ここでは，なぜそれ程加工難なのか？簡単に紹介する．

①ＳｉＣ(エスアイシー)＝炭化ケイ素，シリコンカーバイド

図16のようにＳｉＣは，Ｓｉ面とＣ面からなる結晶体で，元々ダイヤに次いで固い材質でかつ硬度の違うＳｉ面とＣ面の加工応力違いで反りが発生しやすく，加工レートも精度も出にくい難研磨材です．

炭素原子Ｃとケイ素原子Ｓｉが1対1で交互に配列しており，物理的特性を比較すると硬度や熱伝導度、密度がダイヤモンドとシリコン結晶の中間的性質を持っている．

注：エネルギーバンドギャップとは？ 半導体は，エネルギーバンドギャップを飛び越えることで，導体となることができます．このバンドギャップの大きさを制御することで電気の通し方を自由に変えることが可能な融通自由な制御機器です．

金属などの導体では禁制帯がなく，電子は自由に動き回れます．一方，絶縁体ではエネルギーバンドギャップが大きいので，電子が価電子帯から伝導帯に遷移できず，電気を通すことができません． 導体と絶縁体の中間性質を持つ半導体は，エネルギーバンドギャップも導体と絶縁体の中間の大きさなので，外部から十分なエネルギーを加えると，価電子帯の自由電子が禁制帯を飛び越えて伝導帯へ遷移することが可能となります．この原理から，半導体では外部からのエネルギーによって電気を通す通さないの制御が可能となっています．図17にエネルギーバンドギャップの概要図を示し，表２に主半導体のギャップ値を示します．

②ＳｉＣの研磨加工

一般には，ＳｉＣを特製スラリーとウレタンＰＡＤで加工することでコスト的に量産に合う位の加工レートを出してＳｉＣを加工する方策も出始めている．その際の加工レートは，０．３～０．４μｍ／分程度であり、Ｓｉ面とＣ面の硬度違いから『トワイマン効果』が出てきて精度的にも非常に厳しいが，量産するための歩留り課題とコスト課題を克服しつつある．

表３特製スラリーによるSiC加工数値例(浜井産業製16BFの加工)

③ＧａＮ(窒化ガリウム，ガリウムナイトライド)の研磨加工

GaNは，パワーがSiCより小さくても動作周波数が高く，高速スイッチングが必要な通信分野では大きな利点を持つので，車載パワー半導体の一翼を担っている．しかしGaNはSiC以上に加工難で「へき開性」も強く，まだ車載用の量産に至っていない．

なかなか量産に至らないGaNに変わってGa2O3（酸化ガリウム）もパワー半導体として広がり始めている．
この高速スイッチングとパワ ーを兼ね備えたGa2O3（酸化ガリウム）も入り組んで，これからの数年でパワー半導体分野の勢力図が塗り替わって行くと思われる．
図18にSiC，パワーデバイス性能と応用マップを示す．

SiCとGaNを比較してみた

1.熱伝導率：ＳｉＣの方が約3倍高い。
ＳｉCは、ダイヤモンドと同様に強固な四面体構造でシリコンよりも緻密で安定した結晶であることから絶縁破壊強度が高くて活性層を非常に薄くすることが可能である。
⇒そのため高耐圧でありながら低損失な素子を作ることができ、モータなどの高耐圧、大電流を必要とするパワー用途に向いている。
たとえば１ｋＨｚ～数百ｋＨｚ程度までで電力容量が１００ｋＶＡ以上の鉄道車両のモーター、車の電源装置などの使用に向いている。

物性データ(バンドギャップ、電子移動度、絶縁破壊電圧、飽和ドリフト速度)は、すべてＧａＮのほうが１０％程度勝っている。
⇒高温動作環境では、ＳｉCに分があるが、電力変換容量、動作周波数の高い領域での使用では、ＧａＮの方が有利と言える。ただ、破壊強度が弱いので小型､高周波での用途に向いている。
たとえば数百ｋＨｚかそれ以上の高周波数帯で高速スイッチング動作を必要として電力容量が１００ｋＶＡ以下のパソコンやサーバーに向いている。

①これからのシリコンウエハーの研磨加工

シリコンウエハーは，これからも高精度と高生産性を求めて，GBIR=0．05μｍ、SFQRもE-SFQRも7nm～5nm～3nmの線幅に対応すべく，10ｎｍ以下の精度を量産達成することが求められている．450mmウエハーの時代が来るかは，現時点では不明だが，300mmウエハーでしばしは量産して行くものと思われる．

⇒そのためには，『第3回目の研磨教室』で述べる研磨機の高精度化が必要！
今後のシリコンウエハー研磨加工に要求される事柄を次に記す．

・ウエハー素材の結晶構造強化，外周精度除外幅を0～0．5ｍｍにできるようにする．外周面取り法の改良も必要．
・スライス時のテーパー・歪み，外周面取り時の不均一などを減らしてラッピング時の取り代をできるだけ減らす．
・エッチングあるいは仕上げ研削の高精度化，均一化を推進して，ポリシング時の取り代を極力減らす．
・各洗浄の洗浄度と時間短縮を推進する．
・その他：加工変質層，ピット，表面性状良化などを推進する．

②これからのパワー半導体高生産性，高精度化の発展

少なくとも，ＳｉＣ，ＧａＮ，Ｇａ2Ｏ3共に一般ポリシング並みの1.0μｍ／min程度以上の加工レートとシリコン価格の2倍程度以内を達成すべく，研磨機・副資材の改良が必要となる．